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NTBG030N120M3S
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 77A, D2PAK-7L
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG030N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5047RL
Bandes découpées80AK5047
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
1 160 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 21,740 $ | 21,74 $ |
| Total Prix | 21,74 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 21,740 $ |
| 50+ | 16,260 $ |
| 100+ | 13,790 $ |
| 250+ | 13,520 $ |
| 500+ | 13,230 $ |
| 1000+ | 12,960 $ |
| 2500+ | 12,680 $ |
| 5000+ | 12,410 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG030N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5047RL
Bandes découpées80AK5047
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NTBG030N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit