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NTBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120M3S
Code Commande57AK6406
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
160 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 12,810 $ |
| 10+ | 9,470 $ |
| 25+ | 8,830 $ |
| 50+ | 8,190 $ |
| 100+ | 7,550 $ |
| 250+ | 7,410 $ |
| 500+ | 7,270 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
12,81 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120M3S
Code Commande57AK6406
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG040N120M3S
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits