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NTBG040N120M3S
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 51A, D2PAK-7L
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5048RL
Bandes découpées80AK5048
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
483 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 19,500 $ | 19,50 $ |
| Total Prix | 19,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,500 $ |
| 50+ | 12,260 $ |
| 100+ | 11,400 $ |
| 250+ | 11,170 $ |
| 500+ | 10,930 $ |
| 1000+ | 10,710 $ |
| 2500+ | 10,490 $ |
| 5000+ | 10,260 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG040N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5048RL
Bandes découpées80AK5048
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NTBG040N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit