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NTBG070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG070N120M3S
Code Commande80AK5049
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,820 $ |
| 10+ | 10,220 $ |
| 25+ | 9,640 $ |
| 50+ | 9,070 $ |
| 100+ | 8,480 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG070N120M3S
Code Commande80AK5049
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation252W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
252W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTBG070N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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