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NTBL045N065SC1
MOSFET, SIC, 650V, 73A, H-PSOF
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBL045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AK1477RL
Bandes découpées51AK1477
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
1 800 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 18,660 $ | 93,30 $ |
| Total Prix | 93,30 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 18,660 $ |
| 10+ | 13,020 $ |
| 15+ | 12,220 $ |
| 25+ | 11,410 $ |
| 50+ | 10,610 $ |
| 125+ | 10,570 $ |
| 250+ | 10,360 $ |
| 500+ | 10,150 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBL045N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AK1477RL
Bandes découpées51AK1477
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.05ohm
Transistor Case StyleH-PSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
73A
Drain Source On State Resistance
0.05ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
H-PSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NTBL045N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit