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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD2955T4GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9570
Bandes découpées10N9570
Votre numéro de pièce
153 985 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,700 $ | 2,70 $ |
| Total Prix | 2,70 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,700 $ |
| 10+ | 1,550 $ |
| 25+ | 1,450 $ |
| 50+ | 1,340 $ |
| 100+ | 1,240 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD2955T4GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9570
Bandes découpées10N9570
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.155ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd55W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTD2955T4G is a -60V P-channel Power MOSFET designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. It is designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls. This device is particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
- Avalanche energy specified
- IDSS and VDS (on) specified at elevated temperature
- ±20VDC Gate to source voltage
- 2.73°C/W Thermal resistance, junction to case
Applications
Power Management, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
55W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
On Resistance Rds(on)
0.155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTD2955T4G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
