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NTD2955T4G.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 12 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,700 $ |
| 7500+ | 0,652 $ |
| 12500+ | 0,640 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 750,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD2955T4G.Copie
Code Commande26AC2746
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id12A
On Resistance Rds(on)0.155ohm
Drain Source On State Resistance0.155ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd55W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation55W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.155ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
55W
Power Dissipation
55W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit