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NTD6415ANLT4G
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 23 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD6415ANLT4G
Code Commande
Bobine complète75R2678
Mise en bobine13AC6211
Bandes découpées13AC6211
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 17 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,480 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,610 $ |
| 3000+ | 1,550 $ |
| 6000+ | 1,400 $ |
| 12000+ | 1,260 $ |
| 18000+ | 1,210 $ |
| 30000+ | 1,190 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTD6415ANLT4G
Code Commande
Bobine complète75R2678
Mise en bobine13AC6211
Bandes découpées13AC6211
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id23A
On Resistance Rds(on)0.043ohm
Drain Source On State Resistance0.043ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.043ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
23A
Drain Source On State Resistance
0.043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTD6415ANLT4G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit