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NTF2955T1G
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF2955T1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9718
Bandes découpées10N9718
Votre numéro de pièce
89 878 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,010 $ | 2,01 $ |
| Total Prix | 2,01 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,010 $ |
| 10+ | 1,760 $ |
| 25+ | 1,600 $ |
| 50+ | 1,480 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,030 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF2955T1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9718
Bandes découpées10N9718
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.145ohm
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
NTF2955T1G is a single, P-channel power MOSFET. The applications include power supplies, PWM motor control, converters, and power management.
- Drain-to-source on resistance is 145mohm typ (VGS = -10V, ID = -0.75A)
- Gate-to-source voltage is ±20V (TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -2.6A (TJ = 25°C, steady state)
- Power dissipation is 2.3W (TJ = 25°C, steady state)
- Pulsed drain current is -17A (tp = 10µs, TJ = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V min (VGS = 0V, ID = -250µA, TJ=25°C)
- Gate threshold voltage range from -2.0 to -4.0V (VGS = VDS, ID = -1.0mA, TJ=25°C)
- Forward transconductance is 1.77S typ (VGS = -15V, ID = -0.75A, TJ=25°C)
- Turn-on delay time is 11ns rtp (VGS = 10V, VDD = 25V, ID = 1.5A, RG = 9.1ohm, RL = 25ohm)
- SOT-223 package, operating junction range from -55 to 175°C
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.145ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Power Dissipation Pd
1W
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit