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NTF2955T1G
MOSFET, P, 60V, SOT-223
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF2955T1GCopie
Code Commande
Mise en bobine58M9896
Bandes découpées58M9896
Votre numéro de pièce
26 212 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,170 $ | 2,17 $ |
| Total Prix | 2,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,170 $ |
| 10+ | 1,370 $ |
| 25+ | 1,250 $ |
| 50+ | 1,130 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
| 250+ | 0,914 $ |
| 500+ | 0,823 $ |
| 1000+ | 0,747 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF2955T1GCopie
Code Commande
Mise en bobine58M9896
Bandes découpées58M9896
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.6A
On Resistance Rds(on)0.17ohm
Drain Source On State Resistance0.17ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.17ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
1W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source On State Resistance
0.17ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit