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NTF3055L108T1G
Power MOSFET, N Channel, 68 V, 3 A, 0.12 ohm, SOT-223, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 18 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,559 $ |
| 2000+ | 0,552 $ |
| 4000+ | 0,544 $ |
| 6000+ | 0,534 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1000
Multiple: 1000
559,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTF3055L108T1G
Code Commande88H5097
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds68V
Continuous Drain Current Id3A
On Resistance Rds(on)0.092ohm
Drain Source On State Resistance0.12ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage5V
Power Dissipation Pd2.1W
Transistor Case StyleSOT-223
Gate Source Threshold Voltage Max1.68V
Power Dissipation2.1W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The NTF3055L108T1G is a N-channel logic level Power MOSFET designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.
- AEC-Q101 Qualified
- PPAP capable
Applications
Automotive, Motor Drive & Control, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
68V
On Resistance Rds(on)
0.092ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.1W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.68V
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Drain Source On State Resistance
0.12ohm
Rds(on) Test Voltage
5V
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation
2.1W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTF3055L108T1G
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit