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NTGD4167CT1G
MOSFET, ONSEMI NTGD4167CT1G
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGD4167CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète95M6993
Mise en bobine81Y7039RL
Bandes découpées81Y7039
Votre numéro de pièce
42 300 En Stock
300 disponibles sur {packagingType}
42 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,360 $ | 1,36 $ |
| Total Prix | 1,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,360 $ |
| 10+ | 0,743 $ |
| 25+ | 0,648 $ |
| 50+ | 0,555 $ |
| 100+ | 0,460 $ |
| 250+ | 0,422 $ |
| 500+ | 0,383 $ |
| 1000+ | 0,352 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,372 $ |
| 6000+ | 0,349 $ |
| 12000+ | 0,333 $ |
| 18000+ | 0,315 $ |
| 30000+ | 0,305 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGD4167CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète95M6993
Mise en bobine81Y7039RL
Bandes découpées81Y7039
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.6A
Continuous Drain Current Id P Channel2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.052ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.052ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel900mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.052ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
900mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.052ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit