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NTGS4111PT1G
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 4.7 A, 0.06 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS4111PT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9575
Bandes découpées10N9575
Votre numéro de pièce
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,641 $ | 0,64 $ |
| Total Prix | 0,64 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,641 $ |
| 25+ | 0,481 $ |
| 50+ | 0,454 $ |
| 100+ | 0,426 $ |
| 250+ | 0,397 $ |
| 500+ | 0,367 $ |
| 1000+ | 0,333 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTGS4111PT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9575
Bandes découpées10N9575
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.06ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.25W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.06ohm
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit