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NTH4L012N065M3S
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 102A, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L012N065M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande11AN7112
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 101 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 34,720 $ |
| 10+ | 29,790 $ |
| 25+ | 29,200 $ |
| 50+ | 28,600 $ |
| 100+ | 28,000 $ |
| 250+ | 27,410 $ |
| 500+ | 26,810 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
34,72 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L012N065M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande11AN7112
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (05-Nov-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
102A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (05-Nov-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Product Range
EliteSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (05-Nov-2025)
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Certificat de conformité du produit