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NTH4L013N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 151 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L013N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande08AM4237
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
253 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 60,160 $ |
| 5+ | 54,460 $ |
| 10+ | 48,760 $ |
| 25+ | 47,780 $ |
| 50+ | 46,820 $ |
| 100+ | 45,840 $ |
| 250+ | 44,860 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
60,16 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L013N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande08AM4237
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id151A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation682W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
151A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
682W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit