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NTH4L014N120M3P
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L014N120M3P
Code Commande57AK6415
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
306 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 24,100 $ |
| 5+ | 24,100 $ |
| 10+ | 24,100 $ |
| 25+ | 24,100 $ |
| 50+ | 24,100 $ |
| 100+ | 24,100 $ |
| 250+ | 24,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L014N120M3P
Code Commande57AK6415
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id127A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.63V
Power Dissipation686W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
127A
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.63V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
686W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTH4L014N120M3P
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits