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NTH4L022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L022N120M3S
Code Commande90AJ6554
Gamme de produitEliteSiC Series
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L022N120M3S
Code Commande90AJ6554
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.72V
Power Dissipation352W
Power Dissipation Pd352W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour NTH4L022N120M3S
1 produit trouvé
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.72V
Power Dissipation Pd
352W
Product Range
EliteSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68A
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit