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NTH4L070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 37 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-247
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 50+ | 8,130 $ |
| 100+ | 7,700 $ |
| 250+ | 6,700 $ |
| 500+ | 6,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 60
Multiple: 30
487,80 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4L070N120M3S
Code Commande57AK6420
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id37A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation252W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
37A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
252W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTH4L070N120M3S
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit