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NTHD3100CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHD3100CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5823
Mise en bobine50AC6487RL
Bandes découpées50AC6487
Votre numéro de pièce
176 En Stock
176 disponibles sur {packagingType}
3 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,240 $ | 11,20 $ |
| Total Prix | 11,20 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,240 $ |
| 10+ | 1,420 $ |
| 25+ | 1,260 $ |
| 50+ | 1,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,720 $ |
| 6000+ | 0,653 $ |
| 12000+ | 0,589 $ |
| 18000+ | 0,569 $ |
| 30000+ | 0,554 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHD3100CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5823
Mise en bobine50AC6487RL
Bandes découpées50AC6487
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit