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NTHD4102PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 2 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,921 $ |
| 6000+ | 0,866 $ |
| 12000+ | 0,823 $ |
| 18000+ | 0,780 $ |
| 30000+ | 0,755 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
2 763,00 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHD4102PT1GCopie
Code Commande83H7827
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel2.9A
Continuous Drain Current Id P Channel2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.064ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.064ohm
Transistor Case StyleChipFET
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.064ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.9A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.064ohm
Transistor Case Style
ChipFET
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit