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NTHL040N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL040N120SC1
Code Commande91AH8484
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 250+ | 17,630 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 450
Multiple: 450
7 933,50 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTHL040N120SC1
Code Commande91AH8484
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.97V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.97V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTHL040N120SC1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits