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NTJD4001NT1G
Dual MOSFET, Dual N Channel, 30 V, 250 mA, 1.5 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4001NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6218
Mise en bobine27W1981RL
Bandes découpées27W1981
Votre numéro de pièce
940 695 En Stock
10 695 disponibles sur {packagingType}
930 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,630 $ | 0,63 $ |
| Total Prix | 0,63 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,630 $ |
| 10+ | 0,398 $ |
| 25+ | 0,352 $ |
| 50+ | 0,308 $ |
| 100+ | 0,262 $ |
| 250+ | 0,233 $ |
| 500+ | 0,203 $ |
| 1000+ | 0,185 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,185 $ |
| 6000+ | 0,157 $ |
| 12000+ | 0,141 $ |
| 18000+ | 0,134 $ |
| 30000+ | 0,120 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4001NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6218
Mise en bobine27W1981RL
Bandes découpées27W1981
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTJD4001NT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit