Imprimer la page
NTJD4152PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.215 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4152PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6219
Bobine complète86AK5829
Mise en bobine45J2156
Bandes découpées45J2156
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,180 $ | 540,00 $ |
| Total Prix | 540,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,180 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,151 $ |
| 6000+ | 0,139 $ |
| 9000+ | 0,140 $ |
| 12000+ | 0,127 $ |
| 15000+ | 0,137 $ |
| 18000+ | 0,120 $ |
| 30000+ | 0,112 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4152PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6219
Bobine complète86AK5829
Mise en bobine45J2156
Bandes découpées45J2156
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id880mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel880mA
Continuous Drain Current Id P Channel880mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.215ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.26ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
880mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
880mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.26ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
272mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
880mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.215ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTJD4152PT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit