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NTJD4158CT1G
MOSFET, ONSEMI NTJD4158CT1G
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4158CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5830
Mise en bobine81Y7046RL
Bandes découpées81Y7046
Votre numéro de pièce
12 043 En Stock
12 043 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,676 $ | 3,38 $ |
| Total Prix | 3,38 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,676 $ |
| 10+ | 0,431 $ |
| 15+ | 0,395 $ |
| 25+ | 0,357 $ |
| 50+ | 0,321 $ |
| 125+ | 0,286 $ |
| 250+ | 0,254 $ |
| 500+ | 0,222 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,169 $ |
| 6000+ | 0,152 $ |
| 12000+ | 0,138 $ |
| 18000+ | 0,130 $ |
| 30000+ | 0,121 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4158CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5830
Mise en bobine81Y7046RL
Bandes découpées81Y7046
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel250mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel270mW
Power Dissipation P Channel270mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
250mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
270mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
250mA
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SC-88
Power Dissipation N Channel
270mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit