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NTJD5121NT1G
MOSFET, DUAL N CH, 60V, 304MA, SOT-363-6
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD5121NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande90W9311
Votre numéro de pièce
2 299 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,534 $ |
| 10+ | 0,365 $ |
| 100+ | 0,185 $ |
| 500+ | 0,119 $ |
| 1000+ | 0,092 $ |
| 2500+ | 0,081 $ |
| 10000+ | 0,077 $ |
| 25000+ | 0,067 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
2,67 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD5121NT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande90W9311
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id304mA
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel304mA
Continuous Drain Current Id P Channel304mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel266mW
Power Dissipation P Channel266mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
304mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
304mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
266mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
304mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
266mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit