Imprimer la page
NTLJD3115PT1G
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 3.3 A, 3.3 A, 0.075 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJD3115PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète83K8684
Bandes découpées08R3944
Votre numéro de pièce
18 000 En Stock
18 000 disponibles sur {packagingType}
18 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,359 $ | 1 077,00 $ |
| Total Prix | 1 077,00 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,359 $ |
| 9000+ | 0,334 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,406 $ |
| 6000+ | 0,376 $ |
| 12000+ | 0,351 $ |
| 18000+ | 0,327 $ |
| 30000+ | 0,313 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJD3115PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Bobine complète83K8684
Bandes découpées08R3944
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.3A
Continuous Drain Current Id P Channel3.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.075ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.075ohm
Transistor Case StyleWDFN
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.075ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.075ohm
Transistor Case Style
WDFN
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NTLJD3115PT1G
1 produit trouvé
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit