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NTLJF4156NTAG
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.7 A, 70 mohm, WDFN, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJF4156NTAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine08R3955
Bandes découpées08R3955
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 6000 | 0,340 $ | 2 040,00 $ |
| Total Prix | 2 040,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,340 $ |
| 9000+ | 0,321 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTLJF4156NTAGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine08R3955
Bandes découpées08R3955
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.7A
Drain Source On State Resistance70mohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation1.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
70mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
6Pins
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit