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518 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 0,612 $ |
10+ | 0,456 $ |
25+ | 0,408 $ |
50+ | 0,358 $ |
100+ | 0,309 $ |
250+ | 0,296 $ |
500+ | 0,284 $ |
1000+ | 0,258 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,61 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS4C08NT1G
Code Commande02AC3810
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16.4A
Drain Source On State Resistance4600µohm
On Resistance Rds(on)0.0046ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation2.51W
Power Dissipation Pd2.51W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4600µohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.51W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16.4A
On Resistance Rds(on)
0.0046ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation Pd
2.51W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTMFS4C08NT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits