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NTMFS5C646NLT1G
NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS5C646NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5840
Bobine complète86X0939
Mise en bobine31Y3288RL
Bandes découpées31Y3288
Votre numéro de pièce
3 981 En Stock
3 981 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,860 $ | 4,86 $ |
| Total Prix | 4,86 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,860 $ |
| 50+ | 3,170 $ |
| 100+ | 2,200 $ |
| 250+ | 2,000 $ |
| 500+ | 1,790 $ |
| 1000+ | 1,750 $ |
| 2500+ | 1,720 $ |
| 5000+ | 1,680 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1500+ | 2,410 $ |
| 3000+ | 2,290 $ |
| 4500+ | 2,040 $ |
| 6000+ | 2,210 $ |
| 7500+ | 2,000 $ |
| 12000+ | 2,040 $ |
| 18000+ | 1,980 $ |
| 30000+ | 1,920 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS5C646NLT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant101 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5840
Bobine complète86X0939
Mise en bobine31Y3288RL
Bandes découpées31Y3288
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id19A
Drain Source On State Resistance3800µohm
On Resistance Rds(on)0.0038ohm
Transistor Case StyleDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.1W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Case Style
DFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
On Resistance Rds(on)
0.0038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.1W
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour NTMFS5C646NLT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit