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NTMS10P02R2G
MOSFET, P-CH, -20V, -8.8A, SOIC-8
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
6 083 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,560 $ |
| 10+ | 1,220 $ |
| 25+ | 1,160 $ |
| 50+ | 1,110 $ |
| 100+ | 1,050 $ |
| 250+ | 0,997 $ |
| 500+ | 0,946 $ |
| 1000+ | 0,937 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,56 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMS10P02R2G
Code Commande81Y7051
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8.8A
Drain Source On State Resistance0.014ohm
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max880mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
1.6W
Gate Source Threshold Voltage Max
880mV
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.8A
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit