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NTP6412ANG
MOSFET, N-CH, 100V, 58A, TO-220
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701 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,050 $ |
| 10+ | 2,590 $ |
| 100+ | 2,440 $ |
| 500+ | 1,990 $ |
| 1000+ | 1,910 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,05 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTP6412ANG
Code Commande14AC4777
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source On State Resistance0.0168ohm
On Resistance Rds(on)0.0168ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd167W
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0168ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
167W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.0168ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits