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NTR1P02T1G
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1 A, 0.18 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | NTR1P02T1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45J2173 Mise en bobine10N9587RL Bandes découpées10N9587 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
4 883 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,781 $ | 0,78 $ |
| Total Prix | 0,78 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,781 $ |
| 50+ | 0,373 $ |
| 100+ | 0,332 $ |
| 250+ | 0,296 $ |
| 500+ | 0,260 $ |
| 1000+ | 0,254 $ |
| 2500+ | 0,250 $ |
| 5000+ | 0,245 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,203 $ |
| 6000+ | 0,199 $ |
| 9000+ | 0,195 $ |
| 15000+ | 0,190 $ |
| 30000+ | 0,186 $ |
| 75000+ | 0,183 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | NTR1P02T1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45J2173 Mise en bobine10N9587RL Bandes découpées10N9587 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | P Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Continuous Drain Current Id | 1A |
| On Resistance Rds(on) | 0.148ohm |
| Drain Source On State Resistance | 0.18ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Power Dissipation Pd | 400mW |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.9V |
| Power Dissipation | 400mW |
| No. of Pins | 3Pins |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The NTR1P02T1G is a P-channel Power MOSFET features ultra-low on-resistance provides higher efficiency and extends battery life.
Applications
Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals
Spécifications techniques
| Channel Type | P Channel |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| On Resistance Rds(on) | 0.148ohm |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Power Dissipation Pd | 400mW |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 1.9V |
| No. of Pins | 3Pins |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Transistor Polarity | P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 1A |
| Drain Source On State Resistance | 0.18ohm |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Case Style | SOT-23 |
| Power Dissipation | 400mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTR1P02T1G
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |