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NTR3C21NZT1G
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR3C21NZT1G
Code Commande
Bobine complète81Y3959
Mise en bobine50AC6503
Bandes découpées50AC6503
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,663 $ |
| 25+ | 0,460 $ |
| 50+ | 0,391 $ |
| 100+ | 0,320 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,245 $ |
| 6000+ | 0,221 $ |
| 12000+ | 0,202 $ |
| 18000+ | 0,191 $ |
| 30000+ | 0,178 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR3C21NZT1G
Code Commande
Bobine complète81Y3959
Mise en bobine50AC6503
Bandes découpées50AC6503
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.018ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd470mW
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation470mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.018ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
470mW
Power Dissipation
470mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTR3C21NZT1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit