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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4502PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine10N9589
Bandes découpées10N9589
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155 670 En Stock
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| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,495 $ | 0,50 $ |
| Total Prix | 0,50 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,495 $ |
| 25+ | 0,305 $ |
| 50+ | 0,253 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4502PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine10N9589
Bandes découpées10N9589
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.95A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.25W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTR4502PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -1.95A continuous drain current. It is suitable for DC to DC conversion, load/power switch for portables and computing, motherboard, notebooks, camcorders, digital cameras and battery charging circuits.
- Leading planar technology for low gate charge/fast switching
- Low RDS (ON) for low conduction losses
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.95A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
