Imprimer la page
NTR4503NT1G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.11 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4503NT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9590
Bandes découpées10N9590
Votre numéro de pièce
233 597 En Stock
Vous en voulez davantage ?
2597 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
231000 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,110 $ | 0,11 $ |
| Total Prix | 0,11 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,110 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTR4503NT1GCopie
Code Commande
Mise en bobine10N9590
Bandes découpées10N9590
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2.5A
On Resistance Rds(on)0.14ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd730mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.75V
Power Dissipation730mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTR4503NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC conversion, load/power switch for portables and computing applications.
- Leading planar technology for low gate charge/fast switching
- 4.5V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (3 x 3mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Applications
Power Management, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Industrial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.14ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
730mW
Gate Source Threshold Voltage Max
1.75V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
730mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour NTR4503NT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit