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NTS2101PT1G
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTS2101PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines
Code Commande45J2180
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 45 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,230 $ |
| 6000+ | 0,226 $ |
| 9000+ | 0,222 $ |
| 15000+ | 0,216 $ |
| 30000+ | 0,212 $ |
| 75000+ | 0,207 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
690,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTS2101PT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant45 semaines
Code Commande45J2180
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd290mW
Transistor Case StyleSOT-323
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation290mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTS2101PT1G is a P-channel Power MOSFET offers -8V drain source voltage and -1.4A continuous drain current. It is suitable for high side load switch, charging circuit, single cell battery applications such as cell phones, digital cameras and PDAs.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) extending battery life
- -1.8V Rated for low voltage gate drive
- Surface-mount for small footprint (2 x 2mm)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
290mW
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation
290mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit