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NTTFS2D1N04HLTWG
MISCELLANEOUS MOSFETS
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS2D1N04HLTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande74AH4852
Votre numéro de pièce
2 580 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 3,050 $ |
| 10+ | 1,950 $ |
| 25+ | 1,740 $ |
| 50+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,320 $ |
| 250+ | 1,180 $ |
| 500+ | 1,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
15,25 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS2D1N04HLTWGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande74AH4852
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance1700µohm
On Resistance Rds(on)0.0017ohm
Transistor Case StylePQFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1700µohm
Transistor Case Style
PQFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
On Resistance Rds(on)
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit