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NTUD3169CZT5G
MOSFET, ONSEMI NTUD3169CZT5G
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTUD3169CZT5GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6224
Mise en bobine81Y7061RL
Bandes découpées81Y7061
Votre numéro de pièce
82 055 En Stock
18 055 disponibles sur {packagingType}
64 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,479 $ | 0,48 $ |
| Total Prix | 0,48 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,479 $ |
| 10+ | 0,281 $ |
| 25+ | 0,253 $ |
| 50+ | 0,224 $ |
| 100+ | 0,196 $ |
| 250+ | 0,174 $ |
| 500+ | 0,151 $ |
| 1000+ | 0,123 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 8000+ | 0,096 $ |
| 12000+ | 0,088 $ |
| 18000+ | 0,083 $ |
| 30000+ | 0,078 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTUD3169CZT5GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Bobine complète29X6224
Mise en bobine81Y7061RL
Bandes découpées81Y7061
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.75ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.75ohm
Transistor Case StyleSOT-963
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel125mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.75ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
125mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.75ohm
Transistor Case Style
SOT-963
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit