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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3155CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2183
Mise en bobine10N9592RL
Bandes découpées10N9592
Votre numéro de pièce
353 378 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,509 $ | 0,51 $ |
| Total Prix | 0,51 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,509 $ |
| 25+ | 0,416 $ |
| 100+ | 0,267 $ |
| 500+ | 0,221 $ |
| 1000+ | 0,174 $ |
| 2500+ | 0,166 $ |
| 10000+ | 0,159 $ |
| 25000+ | 0,156 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,228 $ |
| 6000+ | 0,206 $ |
| 12000+ | 0,188 $ |
| 18000+ | 0,177 $ |
| 30000+ | 0,164 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTZD3155CT1GCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Bobine complète45J2183
Mise en bobine10N9592RL
Bandes découpées10N9592
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id540mA
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel540mA
Continuous Drain Current Id P Channel540mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.55ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id
540mA
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
540mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
540mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.55ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTZD3155CT1G
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit