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NTZD3155CT1G
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
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| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | NTZD3155CT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45J2183 Mise en bobine10N9592RL Bandes découpées10N9592 |
| Votre numéro de pièce | |
| Fiche technique |
1 378 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,841 $ | 0,84 $ |
| Total Prix | 0,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,841 $ |
| 50+ | 0,404 $ |
| 100+ | 0,360 $ |
| 250+ | 0,322 $ |
| 500+ | 0,284 $ |
| 1000+ | 0,278 $ |
| 2500+ | 0,272 $ |
| 5000+ | 0,267 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 4000+ | 0,218 $ |
| 8000+ | 0,203 $ |
| 12000+ | 0,199 $ |
| 20000+ | 0,195 $ |
| 40000+ | 0,190 $ |
| 100000+ | 0,186 $ |
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Informations produit
| Fabricant | ONSEMI |
|---|---|
| Réf. Fabricant | NTZD3155CT1GCopie |
| Délai d’approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
| Code Commande | Bobine complète45J2183 Mise en bobine10N9592RL Bandes découpées10N9592 |
| Fiche technique | |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 20V |
| Continuous Drain Current Id | 540mA |
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 20V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 540mA |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 540mA |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.55ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.4ohm |
| Transistor Case Style | SOT-563 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Power Dissipation N Channel | 250mW |
| Power Dissipation P Channel | 250mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Qualification | - |
| Product Range | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Aperçu du produit
The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
- Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
- High efficiency system performance
- Low threshold voltage
- ESD protected gate
- Small footprint
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
|---|---|
| Continuous Drain Current Id | 540mA |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 20V |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 540mA |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.4ohm |
| No. of Pins | 6Pins |
| Power Dissipation P Channel | 250mW |
| Qualification | - |
| MSL | MSL 1 - Unlimited |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 20V |
|---|---|
| Drain Source Voltage Vds | 20V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 540mA |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.55ohm |
| Transistor Case Style | SOT-563 |
| Power Dissipation N Channel | 250mW |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Product Range | - |
| SVHC | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NTZD3155CT1G
3 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme RoHS : | Oui RoHS |
| Conforme à la norme RoHS Phthalates: | Oui RoHS |
| SVHC : | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Télécharger le certificat de conformité du produit | Certificat de conformité du produit |
| Traçabilité des produits |