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NVB190N65S3F
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVB190N65S3F
Code Commande41AH2118
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
16 En Stock
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Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,220 $ |
| 10+ | 5,910 $ |
| 25+ | 5,410 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
7,22 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVB190N65S3F
Code Commande41AH2118
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.158ohm
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd162W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation162W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSUPERFET III
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produits de remplacement pour NVB190N65S3F
3 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.158ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
162W
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SUPERFET III
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
162W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits