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NVBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG040N120M3S
Code Commande80AK5051
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
1 400 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 33,810 $ |
| 10+ | 30,010 $ |
| 25+ | 29,540 $ |
| 50+ | 29,080 $ |
| 100+ | 28,610 $ |
| 250+ | 27,530 $ |
| 500+ | 26,440 $ |
| 1600+ | 26,430 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
33,81 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG040N120M3S
Code Commande80AK5051
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id49A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0405ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.22V
Power Dissipation297W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
49A
Drain Source On State Resistance
0.0405ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.22V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
297W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVBG040N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit