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NVBG070N120M3S-IE
SIC MOSFET, N-CH, 36A, 1.2KV, D2PAK-7
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG070N120M3S-IECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant5 semaines
Code Commande11AN7165
Gamme de produitEliteSiC Series
Votre numéro de pièce
800 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 22,600 $ |
| 50+ | 13,550 $ |
| 100+ | 13,290 $ |
| 250+ | 13,010 $ |
| 500+ | 12,740 $ |
| 1000+ | 12,470 $ |
| 2500+ | 12,190 $ |
| 5000+ | 11,930 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
22,60 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG070N120M3S-IECopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant5 semaines
Code Commande11AN7165
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.9V
Power Dissipation86W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.9V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
86W
Product Range
EliteSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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