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NVBG070N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 27,800 $ |
| 10+ | 22,010 $ |
| 25+ | 21,420 $ |
| 50+ | 20,840 $ |
| 100+ | 20,260 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG070N120M3S
Code Commande80AK5052
Gamme de produitEliteSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.065ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation172W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
36A
Drain Source On State Resistance
0.065ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
172W
Product Range
EliteSiC Series
Produits de remplacement pour NVBG070N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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