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NVBG160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG160N120SC1
Code Commande91AH8575
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
800 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,970 $ |
| 10+ | 11,780 $ |
| 25+ | 10,800 $ |
| 50+ | 9,850 $ |
| 100+ | 8,870 $ |
| 250+ | 8,580 $ |
| 500+ | 8,270 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
13,97 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBG160N120SC1
Code Commande91AH8575
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id19.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
136W
Product Range
EliteSiC Series
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits