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NVBYST001N08XTXG
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 467 A, 0.00119 ohm, TCPAK, Surface Mount
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBYST001N08XTXGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN2940
Bandes découpées10AN2940
Votre numéro de pièce
9 000 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,900 $ | 6,90 $ |
| Total Prix | 6,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,900 $ |
| 10+ | 6,070 $ |
| 25+ | 5,570 $ |
| 50+ | 5,040 $ |
| 100+ | 4,380 $ |
| 250+ | 3,480 $ |
| 500+ | 3,310 $ |
| 1000+ | 3,090 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVBYST001N08XTXGCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande
Mise en bobine10AN2940
Bandes découpées10AN2940
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id467A
Drain Source On State Resistance0.00119ohm
Transistor Case StyleTCPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation517W
No. of Pins16Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
467A
Transistor Case Style
TCPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
517W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00119ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
16Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVBYST001N08XTXG
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit