Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Options de conditionnement
3 882 En Stock
Vous en voulez davantage ?
479 Livraison dans 1-3 jours ouvrables(US stock)
3403 Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Commander avant 21:00
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,090 $ |
| 10+ | 3,340 $ |
| 25+ | 3,010 $ |
| 50+ | 2,670 $ |
| 100+ | 2,340 $ |
| 250+ | 2,190 $ |
| 500+ | 2,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
5,09 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVD5117PLT4G-VF01
Code Commande54AH9518
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id61A
On Resistance Rds(on)0.012ohm
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd118W
Power Dissipation118W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
NVD5117PLT4G-VF01 is a single, P-channel, power MOSFET.
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- High current capability, avalanche energy specified
- AEC-Q101 qualified
- Continuous drain current is -61A at (TC = 25°C)
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0V, ID = -250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 12mohm typical at (VGS = -10V, ID = -29A)
- Turn-on delay time is 22ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 195ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -29A, RG = 2.5 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to 175°C, DPAK package
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.012ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
118W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
118W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVD5117PLT4G-VF01
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit