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NVD5117PLT4G-VF01
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK)
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVD5117PLT4G-VF01Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine54AH9518RL
Bandes découpées54AH9518
Votre numéro de pièce
2 006 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Mise en bobine | 1 | 5,600 $ | 5,60 $ |
| Total Prix | 5,60 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,600 $ |
| 50+ | 3,670 $ |
| 100+ | 2,730 $ |
| 250+ | 2,670 $ |
| 500+ | 2,620 $ |
| 1000+ | 2,560 $ |
| 2500+ | 2,510 $ |
| 5000+ | 2,460 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVD5117PLT4G-VF01Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Mise en bobine54AH9518RL
Bandes découpées54AH9518
Fiche technique
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation118W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Continuous Drain Current Id
61A
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
118W
Operating Temperature Max
175°C
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVD5117PLT4G-VF01
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit