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NVH4L020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L020N120SC1
Code Commande74AH4859
Gamme de produitEliteSiC Series
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L020N120SC1
Code Commande74AH4859
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id102A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Power Dissipation Pd510W
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation510W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation Pd
510W
Power Dissipation
510W
Product Range
EliteSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
102A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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