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NVH4L022N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L022N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande81AJ0295
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 39,830 $ |
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| 25+ | 29,020 $ |
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| 100+ | 28,140 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L022N120M3SCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande81AJ0295
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation352W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
352W
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVH4L022N120M3S
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
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