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NVH4L025N065SC1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 99 A, 650 V, 0.0285 ohm, TO-247
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L025N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande57AK6424
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 19 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 30+ | 30,170 $ |
| 60+ | 25,440 $ |
| 90+ | 25,060 $ |
| 150+ | 24,670 $ |
| 300+ | 24,290 $ |
| 750+ | 23,900 $ |
| 1500+ | 23,420 $ |
| 3000+ | 22,950 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 30
Multiple: 30
905,10 $
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVH4L025N065SC1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande57AK6424
Fiche technique
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id99A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
99A
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
348W
Product Range
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour NVH4L025N065SC1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits